Інвестує 100 трлн вон SK Hynix у NAND заводи Чхонджу

• SK Hynix оголосила про інвестиції 100 трлн вон у NAND і пакування в Чхонджу
• Будівництво M17 планують розпочати наступного року, а виробництво орієнтують на 2029
• Компанія пов’язує рішення з дефіцитом пам’яті та зростанням попиту з боку AI дата-центрів

Про це повідомляють Asharq Al-Awsat, The Next Web, The Next Web.

SK Hynix заявила про інвестиції у розмірі 100 трлн вон ($64.38 млрд) у нові виробничі майданчики з виробництва чипів пам’яті, включно із заводом NAND у Чхонджу. Про це компанія повідомила на заході в четвер, який відвідав президент Лі Чже Мьон.

За даними компанії, 80 трлн вон буде спрямовано на будівництво нового заводу для NAND-пам’яті до 2029 року, а 20 трлн вон — на завод із пакування чипів до кінця 2027 року. Проєкти в Чхонджу є частиною ширшого інвестплану, який SK Hynix разом із Samsung Electronics оголосили цього тижня.

Паралельно в матеріалах зазначається, що оголошення про інвестиції у 100 трлн вон для Чхонджу було зроблено на початку тижня, але тоді деталі не повідомляли. Також повідомляється, що SK Hynix планує почати будівництво нового NAND-заводу M17 наступного року.

У публікаціях наголошується, що попит з боку дата-центрів для AI спричинив дефіцит пам’яті різних типів і підвищив ціни на NAND flash та DRAM. На цьому тлі компанія вказує, що попит на NAND зростає, однак пропозиція обмежена.

Окремо повідомляється, що в квітні SK Hynix розпочала будівництво P&T7 у Чхонджу — майданчика для вдосконаленого пакування для AI-пам’яті, включно з high-bandwidth memory. Водночас компанія застерегла, що довгострокові плани можуть змінитися залежно від глобального попиту на чипи та витрат ключових клієнтів, а також через можливі затримки з вибором і оформленням майданчиків.

Теги: Економіка/Технології